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復(fù)合銅箔卷繞真空鍍膜設(shè)備鍍制銅膜工藝介紹

 日期:2022-11-28

  復(fù)合銅箔卷繞真空鍍膜設(shè)備鍍制銅膜工藝介紹,復(fù)合銅箔工藝又稱復(fù)合集流體,是以 PET 等原料膜作為基膜經(jīng)過真空鍍膜等工藝,將其雙面堆積上銅/鋁 分子的復(fù)合材料。與傳統(tǒng)集流體相比,復(fù)合集流體采用“金屬-高分子材料-金屬”三層復(fù) 合結(jié)構(gòu),通過真空蒸鍍、磁控濺射等方式在高分子 PET/PP 膜表面形成納米級(jí)金屬,再通 過水電鍍將金屬層沉積增厚到 1μm 以上。輕薄化趨勢(shì)下,PET 復(fù)合銅/鋁箔都能做到小于 8μm 厚度的集流體,對(duì)動(dòng)力電池的輕量化起到重要作用。

  復(fù)合銅箔的生產(chǎn)工藝與復(fù)合鋁箔類似。但主要使用的是物理氣相沉積方法(PVD)在 4.5μm 厚度的 PET 表面濺射一層幾十納米的金屬,第二步再采用離子置換/水電鍍的方法增厚表面的金屬層,形成的銅厚度約 1u。之后銅箔再經(jīng)歷水洗、防氧化處理、烘干、 分切即可打包出貨。

  一種重要的 PVD 方法是真空磁控濺射活化。通過純凈的氬氣,電子在真空條件下, 在飛躍過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離時(shí)產(chǎn)生出氬正離子和新的電子;受磁控濺射靶 材背部磁場(chǎng)的約束,大多數(shù)電子被約束在磁場(chǎng)周圍,氬離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶, 并以高能量襲擊銅合金靶表面,使靶材發(fā)生濺射,在濺射粒子中,中性的靶原子或部分離子沉積在基膜上形成薄膜,厚度一般為 20-80nm。

  酸性離子置換一般將臨銅球放置于鈦藍(lán)制作的陽極袋中,然后整個(gè)陽極袋都浸入酸性 藥劑中,膜面作為陰極,以膜面金屬層為陰極,膜面在穿過藥劑槽液下輥之間穿行,膜面 浸入在藥劑中,發(fā)生反應(yīng),進(jìn)行離子遷移置換,在膜面上得到電子后,在膜面上形成銅層, 膜面上形成得銅堆積層厚度為 1u。

  復(fù)合銅箔目前是產(chǎn)業(yè)化加速量產(chǎn)在即,市場(chǎng)需求較大,市場(chǎng)前景廣闊,關(guān)注度較高,因?yàn)閺?fù)合銅箔的需求增大,整體推動(dòng)了復(fù)合銅箔工藝優(yōu)化和進(jìn)展,同時(shí)也帶動(dòng)了復(fù)合銅箔卷繞真空鍍膜設(shè)備產(chǎn)量增加。

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